Wafer a fèt ak pi bon kalite Silisyòm (Si). Anjeneral divize an espesifikasyon 6-pous, 8-pous, ak 12-pous, se wafer la pwodwi ki baze sou sa a wafer. Wafers Silisyòm prepare nan semi-conducteurs pite segondè atravè pwosesis tankou rale kristal ak tranche yo rele wafers beca.sèvi ak yo gen fòm wonn. Divès estrikti eleman sikwi yo ka trete sou wafers yo Silisyòm yo vin pwodwi ak pwopriyete espesifik elektrik. pwodwi sikwi entegre fonksyonèl. Wafers yo ale nan yon seri de pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs yo fòme estrikti sikwi trè piti, epi yo Lè sa a, yo koupe, pake, ak teste nan chips, ki lajman ki itilize nan divès aparèy elektwonik. Materyèl wafer yo te fè eksperyans plis pase 60 ane nan evolisyon teknolojik ak devlopman endistriyèl, fòme yon sitiyasyon endistriyèl ki domine pa Silisyòm ak complétée pa nouvo materyèl semi-conducteurs.
80% nan telefòn mobil ak òdinatè nan mond lan yo pwodui nan peyi Lachin. Lachin depann sou enpòtasyon pou 95% nan chips segondè-pèfòmans li yo, kidonk Lachin depanse US $ 220 milya dola chak ane pou enpòte chips, ki se de fwa enpòtasyon lwil oliv Lachin nan chak ane. Tout ekipman ak materyèl ki gen rapò ak machin fotolitografi ak pwodiksyon chip yo tou bloke, tankou wafers, metal-wo pite, machin grave, elatriye.
Jodi a nou pral yon ti tan pale sou prensip efase UV limyè nan machin wafer. Lè w ap ekri done, li nesesè pou enjekte chaj nan pòtay k ap flote a lè w aplike yon VPP vòltaj segondè nan pòtay la, jan yo montre nan figi ki anba a. Depi chaj la sou fòm piki pa gen enèji nan penetre miray la enèji nan fim nan oksid Silisyòm, li ka sèlman kenbe sitiyasyon an, kidonk nou dwe bay chaj la yon sèten kantite enèji! Sa a se lè limyè iltravyolèt nesesè.
Lè pòtay k ap flote a resevwa iradyasyon iltravyolèt, elektwon yo nan pòtay k ap flote a resevwa enèji nan quanta limyè iltravyolèt, ak elektwon yo vin elektwon cho ak enèji antre nan miray enèji nan fim nan oksid Silisyòm. Jan yo montre nan figi a, elektwon cho penetre fim nan oksid Silisyòm, koule nan substra a ak pòtay, epi retounen nan eta a efase. Operasyon efase a ka fèt sèlman lè w resevwa iradyasyon iltravyolèt, epi yo pa ka efase elektwonikman. Nan lòt mo, kantite Bits ka sèlman chanje soti nan "1" a "0", ak nan direksyon opoze a. Pa gen okenn lòt fason pase efase tout sa ki nan chip la.
Nou konnen enèji limyè a envès pwopòsyonèl ak longèdonn limyè a. Nan lòd pou elektwon yo vin elektwon cho epi konsa gen enèji nan penetre fim nan oksid, iradyasyon an nan limyè ak yon longèdonn ki pi kout, se sa ki, reyon iltravyolèt, se anpil bezwen. Depi tan efase a depann de kantite foton, tan efase a pa ka vin pi kout menm nan longèdonn ki pi kout. Anjeneral, efase kòmanse lè longèdonn lan alantou 4000A (400nm). Li fondamantalman rive nan saturation alantou 3000A. Anba 3000A, menm si longèdonn lan pi kout, li pa pral gen okenn enpak sou tan efase a.
Estanda pou efase UV se jeneralman aksepte reyon iltravyolèt ak yon longèdonn egzak 253.7nm ak yon entansite ≥16000 μ W / cm². Operasyon efase a ka konplete pa tan ekspoze sòti nan 30 minit a 3 èdtan.
Tan poste: Dec-22-2023